MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。

三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。场效应管与三级管的比较：
1）场效应管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件；
2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称为单极性器件，而三级管既有多子，也有少子导电，称之为双极性器件

3）场效应管灵活性比三级管好；
4）场效应管的制造工艺更适合于集成电路。
MOSFET和双极型三极管相类似，电极对应关系是b®G、e®S、c®D；由FET组成的放大电路也和三极管放大电路相类似，三极管放大电路基极回路需要一个偏置电流(偏流)，而FET放大电路的场效应管栅极没有电流，所以，FET放大电路的栅极回路需要一个合适的偏置电压(偏压)。FET组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别在于：场效应管是电压控制型器件，靠栅源之间的电压变化来控制漏极电流的变化，放大作用以跨导来体现；三极管是电流控制型器件，靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化，放大作用由电流放大倍数来体现。
场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时，可与双极型三极管的共射、共集、共基对照。