场效应和MOS管有什么区别呢？-东莞市锐讯电子科技有限公司

场效应和MOS管有什么区别呢？

一、主体不同

1、场效应：V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。

2、MOS管：金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。

二、特性不同

1、场效应：不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。

2、MOS管：主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。

三、规则不同

1、场效应：将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

2、MOS管：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。

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