场效应和MOS管有什么区别呢?
2021-11-30 09:02:40 责任编辑:东莞市锐讯电子科技有限公司 0
一、主体不同
1、场效应:V型槽MOS场效应管。是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。
2、MOS管:金属-氧化物-半导体型场效应管属于绝缘栅型。
二、特性不同
1、场效应:不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高(≥108W)、驱动电流小(左右0.1μA左右),还具有耐压高(最高可耐压1200V)、工作电流大(1.5A~100A)、输出功率高(1~250W)、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
2、MOS管:主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻(最高可达1015Ω)。
三、规则不同
1、场效应:将电子管与功率晶体管之优点集于一身,因此在电压放大器(电压放大倍数可达数千倍)、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
2、MOS管:当VGS=0时管子是呈截止状态,加上正确的VGS后,多数载流子被吸引到栅极,从而“增强”了该区域的载流子,形成导电沟道。
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