电子元器件中我们常用场效应管分为N道沟和P道沟，但是我们该如何区分他们，如何选择呢，今天跟大家简单介绍一下他们的不同点。

1、芯片材质不同

虽然芯片都是硅基，但是掺杂的材质是不同，使得N沟道MOS管是通过电子形成电流沟道；P沟道MOS管是用空穴流作为载流子。具体原理可以参考一些教科书，属于工艺方面的问题。

2、同等参数P沟道MOS管价格更高

（1）N沟道MOS管芯片成本低于P沟道。

N沟道MOS管通过电子形成电流沟道，当MOS管被激活和导通时，电子通过电流移动，速度较P沟道MOS管速度快。在相同的RDS(on)情况下，载流子的迁移率约为P沟道MOS管的2到3倍，而要实现相同的电流，P沟道芯片尺寸就要设计成N沟道MOS管的2到3倍大。因此从制造成本上，N沟道MOS管就要低于P沟道MOS管。因此，大电流应用通常首选N沟道的MOS管。

（2）量产规模上N沟道成本更低。

由于N沟道MOS管的优势，使得它作为首选，能够大规模产出和应用，大规模量产后产品的价格更具优势。

（3）价格竞争更激烈。

N沟道MOS管型号参数，发展比较充分，各家品牌竞争激烈，价格也更透明。

（4）P沟道存在的意义

既生N何生P？P沟道MOS管为何还存在？

P沟道MOS管是用空穴流作为载流子，其迁移率小于N沟道MOS管中的电子流。P沟道MOS管需要从栅极到源极的负电压(VGS)才能导通，而N沟道MOS管则需要正VGS电压。使得P沟道MOS管成为高边开关的理想器件。有助简化电路设计、减少体积，实现低压驱动。由于它能够简化栅极驱动技术，在一些使用场景中，对于整体成本而言，反而起到降低成本的效果。

所有P沟道产品虽贵，但能简化电路设计，有益于实现功能且整体降低成本。

3、应用不同

N管:当一个MOS管接地，负载连接到干线电压上时，这个MOS管就构成低压侧开关。这时就要采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。 

P管:当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。这就要采用P沟道MOS管，这是考虑到电压驱动的原因。

4、使用时识别标示不同

实际应用时，MOS管包括：N管、P管、双N管、双P管、N+P管。

识别方法包括：

（1）型号末尾数字奇偶不同。型号末尾数字，一般奇数是P管，偶数是N管，例如常见的2300为N管，2301为P管，4406为N管，4407为P管。

（2）规格书的标题，一般有写N-Channel、P-Channel等。

（3）电气符号的箭头方向不同，N管箭头指向栅极，P管相反，如果有多个栅极数量则需要注意看每个箭头的方向。

（4）规格书的VDS正负不同，正数为N或双N，负数为P或双P，一正一负为N+P

    以上就是场效应管P道沟和N道沟的不同之处和识别方法，东莞市锐讯电子科技有限公司有ON，英飞凌，长电等品牌可供大家选择，欢迎随时咨询。