MOSFET是一种FET（另一种是JFET），能够制造成增强型或耗尽型。有四种类型的p沟道或n沟道，但实际上仅运用增强n沟道MOS和增强p沟道MOS。因而，一般指NMO或PMO。至于我们为什么不运用耗尽型MOS管，我们不建议对此进行深入研究。NMOS一般用于这两个增强型MOS管。原因是导通电阻小，易于制造。因而，NMOS一般用于开关电源和电机驱动运用。不才面的介绍中，首要运用NMOS。MOS管的三个引脚之间存在寄生电容，这不是我们需要的，而是由于制造工艺的约束。寄生电容的存在使驱动电路的规划和选择愈加困难，但无法防止。稍后将对其进行具体介绍。从MOS管的原理图能够看出，在漏极和源极之间有一个寄生二极管。这被称为体二极管，它在驱动电感负载时非常重要。趁便说一下，体二极管只存在于单个MOS管中，这一般在集成电路芯片中找不到。

传导意味着作为开关，它相当于封闭开关。NMOS功用，VGS将在大于某个值时翻开。只要电网电压到达4V或10V，它适用于电源接地（低端驱动）。PMOS的特点是当VG小于某个值时，VG将翻开，这适用于电源连接到VCC（高端驱动器）的情况。然而，虽然PMO能够很容易地用作高端驱动器，但NMOS一般用于高端驱动器，由于其导通电阻大、价格高且替换类型少。