跟双极晶体管相比，一般认为只需GS电压高于一定值，MOS管驱动的导通就不需求电流。这很简单做到，但咱们依然需求速度。

在MOS管驱动的结构中，能够看出GS和Gd之间存在寄生电容，MOS管驱动的驱动实际上是电容的充放电。为电容器充电需求电流，因为电容器在充电时可视为短路，因而瞬时电流会相对较大。在挑选/规划MOS管驱动器时，首先要留意瞬时短路电流的巨细。

第二，应该留意的是，关于一般用于高端驱动器的NMOS，在开启时栅极电压需求大于源极电压。当高端驱动的MOS管驱动接通时，源极电压与漏极电压（VCC）相同，因而栅极电压比VCC大4V或10V。如果你想在同一个体系中取得高于VCC的电压，你需求一个特别的升压电路。许多电机驱动器都集成了电荷泵。应留意，应挑选适当的外部电容器，以取得足够的短路电流来驱动MOS晶体管。

上述4V或10V是常用MOS管的导通电压。当然，在规划中需求一定的余量。电压越高，导通速度越快，导通电阻越小。目前，导通电压较小的MOS管驱动应用于不同的领域，但在12V轿车电子体系中，4V导通一般就足够了。